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工频高压局放试验装置 接触不良的干扰图形。波形特点：对称地分布在实验电压零点两侧，幅值大致不变，但在实验电压峰值附近下降为零。波形粗糙不清晰，低电压下即出现。电压升高时，幅值缓慢增加，有时在电压达到一定值后会完全消失。原因：实验回路中金属与金属不良接触的连接点；塑料电缆屏蔽层半导体粒子的不良接触；电容器铝箔的插等（可将电容器充电然后短路来）可控硅元件的干扰图形。（图5—08）波形特点：位置固定，每只元件产生一个独立讯号。电路接通，电磁耦合效应增强时讯号幅值增加，试验调压时，该脉冲讯号会发生高频波形展宽，从而占位增加。原因：邻近有可控硅元件在运行。（6）继电器、接触器、辉光管等动作的干扰。（图 5—09）波形特点：分布不规则或间断出现，同试验电压无关。原因：热继电器、接触器和各种火花试验器及有火花放电的记录器动作时产生。（7）荧光灯的干扰图形。（图5—10）波形特点：栏栅状，幅值大致相同的脉冲，伴有正负半波对称出现的两簇脉冲组。原因：荧光灯照明 无线电干扰的干扰图形。（图5—11）波形特点：幅值有调制的高频正弦波，同试验电压无关。原因：无线电话、广播话筒、载波通讯等。（9）电动机干扰的干扰图形（图5—12） 图5—12）波形特点：放电波形沿椭圆基线均匀分布，每个单个讯号呈“山”字形。原因：带换向器的电动机，如电扇、电吹风运转时的干扰。
工频高压局放试验装置 电场不均匀。2、电介质不均匀。3、制造过程的气泡或杂质。经常发生放电的原因是绝缘体内部或表面存在气泡；其次是有些设备的运行过程中会发生热胀冷缩,不同材料特别是导体与介质的膨胀系数不同，也会逐渐出现裂缝；再有一些是在运行过程中有机高分子的老化，分解出各种挥发物，在高场强的作用下，电荷不断地由导体进入介质中， 在注入点上就会使介质气化。二 、局部放电的模拟电路及放电过程简介介质内部含有气泡，在交流电压下产生的内部放电特性可由图1—1的模拟电路(a b c等值电路)予以表示；其中Cc是模拟介质中产生放电间隙(如气泡)的电容；Cb代表与Cc串联部分介质的合成电容；Ca表示其余部分介质的电容。
